GIỚI THIỆU
⸺

TS. Nguyễn Gia Quân là giảng viên của trường Điện - Điện tử, Đại học Bách Khoa Hà Nội kể từ năm 2023. 

Ông Quân nhận bằng thạc sĩ và tiến sĩ tại Đại học Quốc gia Seoul, Hàn Quốc lần lượt vào các năm 2014 và 2021. Trước đó, ông Quân nhận bằng kỹ sư ngành Kỹ thuật điện tại Trường Đại học Bách khoa Hà Nội năm 2009.

Ông Quân từng là nghiên cứu viên của Trung tâm Nghiên cứu Bán dẫn liên đại học (ISRC), Đại học Quốc gia Seoul, Hàn Quốc.

Hướng nghiên cứu chính:

1. Mô phỏng các linh kiện bán dẫn như 2D, 3D MOSFET, NAND flash memory, … bằng các công cụ TCAD simulations (Synopsys, Silvaco).

2. Mô hình hóa (modeling) các đặc tính điện (characteristic length, threshold voltage, SS, …) của linh kiện bán dẫn.

CÁC CÔNG TRÌNH KHOA HỌC TIÊU BIỂU
⸺

• Ilho Myeong, Quan Nguyen-Gia, Ickhyun Song, “Self-Heating-Based channel thermal noise of advanced Sub-5-nm-Node nanosheet FET”, Results in Physics, 2024, https://doi.org/10.1016/j.rinp.2024.108059.

• Q. Nguyen-Gia et. al,. “Modeling of Threshold Voltage Shift by Neighboring Transistors for Macaroni Channel MOSFETs in Series”, IEEE Transactions on Computer-Aided Design of Integrated Circuits and Systems, 2023, doi:10.1109/TCAD.2023.3302728.

• Q. Nguyen-Gia et. al,. “A Potential Model of Triple Macaroni Channel MOSFETs in Sub- threshold Region”, IEEE Trans. Electron Devices, vol. 68, no. 9, pp. 4195 − 4200, Sep. 2021, doi:10.1109/TED.2021.3095023.

• Q. Nguyen-Gia et. al,. “Semi-Analytical Model of Subthreshold Current for Macaroni Channel MOSFET”, Silicon Nanoelectronics Workshop (SNW), Jun. 2021.

• Q. Nguyen-Gia et. al,. “Models of threshold voltage and subthreshold slope for macaroni channel MOSFET”, IEEE Electron Device Lett., vol. 41, no. 7, pp. 973 − 976, Jul. 2020, doi:10.1109/LED.2020.2995642.

• Q. Nguyen-Gia et. al,. “Characteristic length of macaroni channel MOSFET”, IEEE Electron Device Lett., vol. 40, no. 11, pp. 1720 − 1723, Nov. 2019, doi:10.1109/LED.2019.2942619.

• Q. Nguyen-Gia et. al,. “Dependence on an oxide traps location of random telegraph noise (RTN) in GIDL current of n-MOSFET”, Solid-state electronics, vol. 92, pp. 20 − 23, Feb. 2014, doi:10.1016/j.sse.2013.10.018.

GIẢNG DẠY
⸺

• EE2012: Kỹ thuật điện

LĨNH VỰC NGHIÊN CỨU
⸺

• Semiconductor devices

• Analog IC Design

NHÓM CHUYÊN MÔN
⸺

• Kỹ thuật điện

• Vi điện tử và mạch tích hợp

LAB NGHIÊN CỨU
⸺

• Thiết kế vi mạch và hệ thống nhúng